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- 440301501128506
- 9144030073627483XU
- 存续
- 有限责任公司(自然人独资)
- 2002-04-05
- 商毅
- 555万元
- 2002-04-05 至 永久
- 深圳市市场监督管理局
- 深圳市宝安区西乡街道宝安大道4018号华丰国际商务大厦1011室
- 电子产品的销售;国内贸易,货物及技术进出口。
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN101340755A | 一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路 | 2009.01.07 | 本发明涉及一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路,包括为所述发光二极管提供工作电流的恒定电流源、连接 |
2 | CN100586018C | 一种采用LIGBT输出级的集成电路 | 2010.01.27 | 本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路,其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级, |
3 | CN103337498B | 一种BCD半导体器件及其制造方法 | 2017.02.08 | 本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法,包括高压nLIGBT器件(1)、第一类高压nLDMOS器 |
4 | CN101377688A | 一种内部电源电路 | 2009.03.04 | 本发明涉及一种内部电源电路,包括输出级电路,其还包括与所述输出级电路连接的稳压补偿电路,其中所述稳压 |
5 | CN101262729A | 一种发光二极管恒流驱动电路 | 2008.09.10 | 本发明涉及一种发光二极管恒流驱动电路,包括第一移位寄存器(3)、锁存器(2)和恒流输出级(1),其还 |
6 | CN101404455B | 三端式功率开关电源电路 | 2010.05.12 | 本发明涉及一种三端式功率开关电源电路,包括变压器、连接到所述变压器原边第一端子的整流电路、连接到所述 |
7 | CN101377688B | 一种内部电源电路 | 2010.05.12 | 本发明涉及一种内部电源电路,包括输出级电路,其还包括与所述输出级电路连接的稳压补偿电路,其中所述稳压 |
8 | CN101262729B | 一种发光二极管恒流驱动电路 | 2010.05.12 | 本发明涉及一种发光二极管恒流驱动电路,包括第一移位寄存器(3)、锁存器(2)和恒流输出级(1),其还 |
9 | CN101409967A | 多路LED驱动电路 | 2009.04.15 | 本发明涉及一种多路LED驱动电路,包括用于提供精准电流的精准电流源(30),用于将所述精准电流放大并 |
10 | CN101404455A | 三端式功率开关电源电路 | 2009.04.08 | 本发明涉及一种三端式功率开关电源电路,包括变压器T1、连接到所述变压器T1原边1端的整流电路、连接到 |
11 | CN101340755B | 一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路 | 2010.12.08 | 本发明涉及一种可防止过冲的发光二极管高速驱动电路,包括为所述发光二极管提供工作电流的恒定电流源、连接 |
12 | CN204359440U | 一种红外滤光透镜热释电红外一体化传感器 | 2015.05.27 | 本实用新型涉及一种红外滤光透镜热释电红外一体化传感器,包括红外滤光透镜、金属壳、塑环、光学敏感元件、 |
13 | CN102097389B | 一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法 | 2013.11.06 | 本发明公开了一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件,包括位于p型衬 |
14 | CN103337498A | 一种BCD半导体器件及其制造方法 | 2013.10.02 | 本发明涉及一种BCD半导体器件极其实现方法,包括高压nLIGBT器件(1)、第一类高压nLDMOS器 |
15 | CN102097484B | 一种多通道LDMOS及其制备方法 | 2013.02.13 | 本发明公开了一种多通道LDMOS及其制备方法。一种多通道LDMOS,包括位于衬底1中的源区5、漏区6 |
16 | CN202275836U | LDMOS及集成LDMOS器件 | 2012.06.13 | 本实用新型公开了LDMOS及集成LDMOS器件。一种半导体器件,包括位于p型衬底10中的LDMOS |
17 | CN202231691U | LIGBT输出级集成电路 | 2012.05.23 | 本实用新型涉及LIGBT输出级集成电路,其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级,所述L |
18 | CN202205754U | 多通道LDMOS器件 | 2012.04.25 | 本实用新型公开了多通道LDMOS器件。一种多通道LDMOS,包括位于衬底1中的源区5、漏区6、栅介质 |
19 | CN102097389A | 一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法 | 2011.06.15 | 本发明公开了一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件,包括位于p型衬 |
20 | CN102097484A | 一种多通道LDMOS及其制备方法 | 2011.06.15 | 本发明公开了一种多通道LDMOS及其制备方法。一种多通道LDMOS,包括位于衬底1中的源区5、漏区6 |
21 | CN101594048B | 一种具有过流保护功能的PWM型降压变换器 | 2011.01.19 | 本发明涉及一种具有过流保护功能的PWM型降压变换器,包括控制电路,连接在输入电源和电感之间的第一开关 |
22 | CN100584135C | 多路LED驱动电路 | 2010.01.20 | 本发明涉及一种多路LED驱动电路,包括用于提供精准电流的精准电流源(30),用于将所述精准电流放大并 |
23 | CN100576706C | 一种负电压输出电荷泵 | 2009.12.30 | 本发明涉及一种负电压输出电荷泵,包括直流电源(U)、输入电容(C1)、输出电容(C4)、第一充电电容 |
24 | CN101594048A | 一种具有过流保护功能的PWM型降压变换器 | 2009.12.02 | 本发明涉及一种具有过流保护功能的PWM型降压变换器,包括控制电路,连接在输入电源和电感之间的第一开关 |
25 | CN101420219A | 一种采用LIGBT输出级的集成电路 | 2009.04.29 | 本发明涉及一种采用LIGBT输出级的集成电路,其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级, |
26 | CN201207742Y | 一种发光二极管恒流驱动电路 | 2009.03.11 | 本实用新型涉及一种发光二极管恒流驱动电路,包括变压器(2)以及与其连接的功率输入电路(1)、功率输出 |
27 | CN101312325A | 一种负电压输出电荷泵 | 2008.11.26 | 本发明涉及一种负电压输出电荷泵,包括直流电源U、输入电容C1、输出电容C4、第一充电电容C2和第二充 |
28 | CN2750389Y | 电子防丢器 | 2006.01.04 | 本实用新型公开了一种电子防丢器,包括发射器和接收器,发射器包括编码模块以及与编码模块通讯连接用于发射 |
29 | CN2747328Y | 密码报警器 | 2005.12.21 | 一种密码报警器包括触发装置及报警输出装置,还包括控制器及键盘,其中,所述报警输出装置、触发装置及键盘 |
30 | CN2739728Y | 自动抄表系统 | 2005.11.09 | 本实用新型涉及一种自动抄表系统,包括一个以上具有不同地址,分别与各计表器相连用于收集计表器数据并转换 |
31 | CN2735463Y | 尿湿提醒装置 | 2005.10.19 | 本实用新型涉及一种尿湿提醒装置,包括尿湿信号发射器和信号接收器,发射器和接收器无线连接,所述发射器与 |
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